MOS管电极知识与电极之间的区别解析-KIA MOS管
MOS管电极知识与电极的区别
所有的FET都有栅极(gate)、 漏极(drain)、 源极(source) 三个端，分别大致对应BJT的基极(base)、 集电极(collector) 和发射极(eritter)。
除JFET以外，所有的FeT也有第四端，被称为体(body)、基(base)、 块体(bu1k) 或衬底(substrate)。 这个第四端可以将晶体管调制至运行;在电路设计中，很少让体端发挥大的作用，但是当物理设计一个集成电路的时候，它的存在就是重要的。
在图中栅极的长度(1ength) L，是指源和漏的距离。宽度(width)是指晶体管的范围，在图中和横截面垂直。通常情况下宽度比长度大得多。长度1微米的栅极限制最高频率约为5GHz，0.2 微米则是约30GHz。
这些端的名称和它们的功能有关。栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个加上的电压影响，电子流将从源极流向漏极。
体很简单的就是指栅、漏、源极所在的半导体的块体。通常体端和一个电路中最高或最低的电压相连，根据类型不同而不同。体端和源极有时连在一起，因为有时源也连在电路中最高或最低的电压上。当然有时一些电路中FET并没有这样的结构，比如级联传输电路和串叠式电路。
MOS管的源极和漏极区别
一、指代不同
1、源极：简称场效应管。仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，?或驱动比芯片电源电压高的负载。
二、原理不同
1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。
MOS管的定义：场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，其用P+表示，形成两个P+N结。而N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。
把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发， 流向漏极D。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID。
由于导电沟道是N型的，所以称为N沟道结型场效应管。 场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。
但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了 ，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。
对于绝缘栅NMOS管，接高压为漏端，接低压为源端。PMOS刚好相反。从原理上，NMOS载流子是电子，由低电压处提供，所以低压端称源端，PMOS载流子是空穴，由高压处提供，所以高压端称源端。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
