图文分享|制作简易场效应管检测仪-KIA MOS管
制作简易场效应管检测仪
场效应管的全称叫做金属氧化物半导体效应晶体管也称MOS管。
它可以分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
场效应管的三个管脚排列
三个极分别是：G（栅极），D（漏极）s（源及），要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。它的工作原理比较类似于晶体三极管。
怎么万用表测量场效应管
1、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好
2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。
3、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。
4、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。
我们知道，其实场效应管的工作原理和三极管比较类似。场效应管的栅极相当于三极管的基极，只需要在他的栅极给一个高电平。那么源极和漏极之间就会导通。
如果给他的栅极低电平，源极和漏极之间就会断开，我们就是根据这个原理来制作场效应管的检测电路的。
原理图比较简单。有一个限流电阻。一个USB供电插座。一个模式管检测的插座，一个显示状态用的led发光二极管。两个触摸片，触摸片1的一端接电源正极，一端接MOS管的栅极。触摸片2的一端接电源负极，一端接电源负极。
检测电路工作原理
当用手触摸触片1时，相当于通过人体电阻。将MOS管的栅极电位升高。此时，MOS管导通，Led发光。当手指触碰出片2时，通过人体电阻，将MOS管的栅极电位降低，此时MOS管处于截止状态，Led熄灭。
简易场效应管检测仪-PCB板图纸
简易场效应管检测仪-由PCB板生成的3d效果图
此电路无需调试，经过测试比较好用。用这个电路来检测场效应管速度非常快，而且也比较准确。比用万用表检测管脚方便很多，而且比较直观，有兴趣的小伙伴一起动手做一做吧。
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