MOS管i-v特性解析|图文分享-KIA MOS管
MOS管i-v特性
原理图
MOS管i-v特性-特性曲线和电流方程
与结型场效应管一样，其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。
转移特性曲线如图1(b)所示， 由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区)，此时iD几乎不随VDs而变化，即不同的VDs 所对应的转移特性曲线几乎是重合的，所以可用VDs 大于某一数值(vDs> VGs-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线。
iD与vGs的近似关系
与结型场效应管相类似。在饱和区内，iD与VGs的近似关系式为：
MOS管i-v特性-参数
MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压Vp，而用开启电压VT表征管子的特性。
各种场效应管特性比较
MOS管i-v特性-MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况( 低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
MOS开关管损失
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
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