开关电源|MOS管的关断缓冲电路详解-KIA MOS管

MOS管的关断缓冲电路

在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。

如果尖峰电压过高，就会损坏开关管。同时，振荡的存在也会使输出纹波增大。为了降低关断损耗和尖峰电压，需要在开关管两端并联缓冲电路以改善电路的性能。

缓冲电路的主要作用有：一是减少导通或关断损耗；二是降低电压或电流尖峰；三是降低dV／dt或dI／dt。由于MOSFET管的电流下降速度很快，所以它的关断损耗很小。

虽然MOS管依然使用关断缓冲电路，但它的作用不是减少关断损耗，而是降低变压器漏感尖峰电压。本文主要针对MOS管的关断缓冲电路来进行讨论。

RC缓冲电路设计

在设计RC缓冲电路时，必须熟悉主电路所采用的拓扑结构情况。图l所示是由RC组成的正激变换器的缓冲电路。

图中，当Q关断时，集电极电压开始上升到2Vdc，而电容C限制了集电极电压的上升速度，同时减小了上升电压和下降电流的重叠，从而减低了开关管Q的损耗。而在下次开关关断之前，C必须将已经充满的电压2Vdc放完，放电路径为C、Q、R。

假设开关管没带缓冲电路，图1所示的正激变换器的复位绕组和初级绕组匝数相同。这样，当Q关断瞬间，储存在励磁电感和漏感中的能量释放，初级绕组两端电压极性反向，正激变换器的开关管集电极电压迅速上升到2Vdc。

同时，励磁电流经二极管D流向复位绕组，最后减小到零，此时Q两端电压下降到Vdc。图2所示是开关管集电极电流和电压波形。

可见，开关管不带缓冲电路时，在Q关断时，其两端的漏感电压尖峰很大，产生的关断损耗也很大，严重时很可能会烧坏开关管，因此，必须给开关管加上缓冲电路。

当开关管带缓冲电路时，其集电极电压和电流波形如图3所示(以正激变换器为例)。

在图1中，当Q开始关断时，其电流开始下降，而变压器漏感会阻止这个电流的减小。一部分电流将继续通过将要关断的开关管，另一部分则经RC缓冲电路并对电容C充电，电阻R的大小与充电电流有关。

Ic的一部分流进电容C，可减缓集电极电压的上升。通过选取足够大的C，可以减少集电极的上升电压与下降电流的重叠部分，从而显著降低开关管的关断损耗，同时还可以抑制集电极漏感尖峰电压。

图3中的A-C阶段为开关管关断阶段，C-D为开关管导通阶段。在开关管关断前，电容C两端电压为零。在关断时刻(B时刻)，C会减缓集电极电压的上升速度，但同时也被充电到2Vdc(在忽略该时刻的漏感尖峰电压的情况下)。

电容C的大小不仅影响集电极电压的上升速度，而且决定了电阻R上的能量损耗。在Q关断瞬间，C上的电压为2Vdc，它储存的能量为0．5C(2Vdc)2焦耳。如果该能量全部消耗在R上，则每周期内消耗在R上的能量为：

对限制集电极上升电压来说，C应该越大越好；但从系统效率出发，C越大，损耗越大，效率越低。因此，必须选择合适的C，使其既能达到一定的减缓集电极上升电压速度的作用，又不至于使系统损耗过大而使效率过低。

在图3中，由于在下一个关断开始时刻(D时刻)必须保证C两端没有电压，所以，在B时刻到D时刻之间的某时间段内，C必须放电。

实际上，电容C在C-D这段时间内，也可以通过电阻R经Q和R构成的放电回路进行放电。因此，在选择了一个足够大的C后，R应使C在最小导通时间ton内放电至所充电荷的5％以下，这样则有：

式(1)表明R上的能量损耗是和C成正比的，因而必须选择合适的C，这样，如何选择C就成了设计RC缓冲电路的关键，下面介绍一种比较实用的选择电容C的方法。

事实上，当Q开始关断时，假设最初的峰值电流Ip的一半流过C，另一半仍然流过逐渐关断的Q集电极，同时假设变压器中的漏感保持总电流仍然为Ip。

那么，通过选择合适的电容C，以使开关管集电极电压在时间tf内上升到2Vdc(其中tf为集电极电流从初始值下降到零的时间，可以从开关管数据手册上查询)，则有：

因此，从式(1)和式(3)便能计算出电容C的大小。在确定了C后，而最小导通时间已知，这样，通过式(2)就可以得到电阻R的大小。

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