KNG3703AMOS管，KNG3703A参数，30V50A,原厂直销-KIA MOS管
MOS管，KNG3703A参数，30V50A-特征
RDS(on)(输入)=7.5mΩ，VGS=10V
先进的沟槽加工技术
高密度超低电阻电池的设计
全特性雪崩电压和电流
MOS管，KNG3703A参数，30V50A-主要参数
型号：KNX3703A
工作方式：50A/30V
漏源极电压:30V
栅源电压:±20V
持续漏电流 ：50A
脉冲漏电流：200A
操作连接和贮存温度范围：-55℃至150℃
输入电容：1300pF
输出电容：270pF
反向转移电容：145pF
MOS管，KNG3703A参数，30V50A-应用领域
用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载同步Buck变换器
网络直流电力系统
负载开关等新型领域
产品封装图
产品规格书
查看详情请点击下图。
KIA半导体专业生产MOS管场效应管厂家（国家高新技术企业）成立于2005年，公司成立初期就明确立足本土市场，研发为先导，了解客户需求，运用创新的集成电路设计方案和国际同步研发技术，
结合中国市场的特点，向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相关产品，产品的稳定性，高性价比，良好的服务，以及和客户充分的技术，市场沟通的严谨态度，在移动数码，LCE,HID,LED,电动车，开关电源，逆变器，节能灯等领域深得客户认可。
KIA从研发设计到制造封装，再到仓储和物流等拥有专业的团队，让客户从一个想法变成成品，让客户产品亮点无限扩大的一体化服务。有种精神叫坚持，目标始终没有变，十年创新，我们领跑科技发展。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
