MOSFET截止频率-特征频率解析-KIA MOS管
MOSFET截止频率
截止频率定义为电流增益为1的时候的频率。根据米勒电容等效原理，输入端的电容将会很大，而输出端的电容则可以忽略。于是用Cg来等效输入栅极电容。
提高频率特性：提高迁移率（100方向，工艺优质），缩短L，减小寄生电容，增加跨导。根据小信号模型分析得出的结果。
定义：在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transitfrequency”（FT）
一、长沟器件的FT计算
MOS的小信号模型如下：
二、MOSFET截止频率FT有哪些因素？
以上公式是在长沟器件level1模型下推导的，可以分析一下影响；
1.增大过驱电压（Vgs-VT）可以增大FT
2.减小沟道长度L会增大FT
3.增大偏置电流可以增大FT（FT正比于直流偏置电流的平方根）
4.FT基本不受S端和D端结电容Cgd的影响。
5.FT随过驱动（Vgs-VT）而增加，但随着垂直电场增加，迁移率变化变缓，FT逐渐饱和，下面是某NMOS器件的FT，其中W/L=5μm/40nmVDS=0.8V：
三、为什么提高MOSFET的频率与提高增益之间存在着矛盾？
可见本征增益与过驱电压的成反比，而前述截止频率与过驱动电压成正比，可见两种存在矛盾，但两者相乘就是增益带宽积，只与沟道长度成反比，虽然这是长沟Level1模型的推导结论，也可看出缩小MOSFET的特征尺寸的好处：
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