常用的加速晶体管开关方法分享-KIA MOS管
加速晶体管开关方法
1、加速晶体管开关：使用加速电容
使用加速电容时的电路
加速电容对基极电压的影响
基极限流电阻R1添加并联小容量电容器的电路。这样，当输入信号上升、下降时能够使R1电阻瞬间被旁路并提供基极电流，所以在晶体管由导通状态变化到截止状态时能够迅速从基区取出电子（因为R1被旁路），消除开关的时间滞后。这个电容的作用是提高了开关速度，所以称为加速电容。
加了加速电容的输入输出波形
添加了加速电容之后的输入输出波形图，可以看出晶体管开关速度明显提升，边沿变得陡峭，由于所使用的晶体管以及基极电流、集电极电流值等原因，加速电容的最佳值是各不相同的。因此，加速电容的值要通过实际电路的开关波形决定。
2、加速晶体管开关：肖特基钳位
提高晶体管开关速度的另一个方法是利用肖特基二极管钳位。这种方法是74LS、74ALS、74AS等典型的数字ICTTL的内部电路所采用的技术。
下图是对图1添加肖特基钳位的电路。所谓的肖特基钳位是在基极与集电极之间接入肖特基二极管。这种二极管不是PN结，而是由金属与半导体接触形成具有整流作用的二极管，其特点是开关速度快，正向压降VF比硅PN结小。
进行肖特基钳位的电路
加了肖特基钳位的输入输出波形
如上图是加入了肖特基钳位的输入输出波形，可以看出其效果与接入加速电容（图3）时相同，晶体管开通关断边沿明显变陡峭。
分析图5可知，肖特基二极管的正向电压降VF比晶体管的VBE小，所以本来应该流过晶体管的大部分基极电流现在通过D1被旁路掉了。这时流过晶体管的基极电流非常小，所以可以认为这时晶体管的导通状态接近截止状态。
3、加速晶体管开关：减小基基电阻R1
R1=100Ω时的电路
R1=100Ω时的输入输出波形
如上图所示，减小R1电阻至R1=100Ω时的输入输出波形较图3明显变陡峭，这是因为R1减小时，其与晶体管密勒效应构成的低通滤波器的截止频率升高，所以输出波形的上升速度加快了。
加速电容是一种与减小基基电阻值等效的提高开关速度的方法。肖特基钳位可以看做是改变晶体管的工作点，减小电荷存储效应影响，提高开关速度的方法。
由于肖特基钳位电路不像接入加速电容那样会降低电路的输入阻抗，所以当驱动开关电路的前级电路的驱动能力较低时，采用这种方法很有效。
在设计这种电路时要注意肖特基二极管的反向电压VR的最大额定值（因为晶体管截止时电源电压会原封不动的加在肖特基二极管上）。
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