关于MOS管d、s反接及电源反接的问题-KIA MOS管

MOS管d、s反接：P沟道，本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。

S级有高电平后，不就S大于G了吗?这时候沟道不就打开了?电流就开始走沟道，而不走体二极管了。

如果D加正电位当然电流从D流向S，而S加正电位对于NMOS管是不推荐的。因为MOS管从结构上来说实际上有4个电极, G/D/S和B衬底Bulk。

虽然说NMOS电流可以从D流向S也可以从S流向D,但是衬底B应该接最低电位，对于N管就是负电位，对于P管就是正电位。也就是说D/S互换使用时，B也要改变连接的位置。

而在多数分立的MOS管中已经把B和定义为S的沟道一端连在一起了，只引出G/D/S三个电极，除非有的MOS管B极另有用途而单独引出。

这样一来如果D/S交换，开启电压/跨导/通导电阻等参数都会变坏，所以一般不建议这样使用。要求双向导电的场合，可以用N管与P管并联的电路结构。

MOS管d、s反接：有些DC/DC的防反接保护就是使用N型MOS管的S至D导通方向来实现的，那样应怎么解释呢?

一个反接保护电路，一反接D就为正了，保护管就起作用了。IRL3103的DS间还并联了一个保护二极管，当没有接反时，正常电流主要通过这个二极管回流到电源负端，而反的DS电压不会超过二极管正向压降。

当接反时，二极管不导电，电流全靠MOS控制，而MOS的G端变负或0而截止了。不过注意IRL3103的GS是可以承受正负电压的。

实际上这里接触到功率MOS管的另一个问题，就是体二极管。几乎所有的功率MOS管的DS端都并联了一个二极管，这个二极管的方向就决定了DS不可以交换使用，接反了二极管通导，G就没有控制了。

这个二极管本来是为了避免分布晶体管造成栓锁效应而产生的，但客观上起到了保护DS,并使DS不能反接的作用。这个二极管在多数小功率MOS上和集成电路中是没有的，而在功率MOS的图上经常也不画出来。

所以你的问题可以理解为，用两个相对串联的NMOS管来传交流电时，在某一半周是用D为正S为负的MOS管串联了一个正向导电的二极管来实现导电，而那个D为负S为正的MOS管被与其并联的正向导电二极管旁路了。

MOS管电源反接定义：

电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。

一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就3.7V，你就用二极管降了0.6V，使得电池使用时间大减。

MOS管防反接，优点就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。

由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐慢慢开始使用MOS管防电源反接。

NMOS管防止电源反接电路：

正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，所以S的电位大概就是0.6V，而G极的电位，是VBAT，VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压，MOS管的DS就会导通，由于内阻很小，所以就把寄生二极管短路了，压降几乎为0。

电源接反时：UGS=0，MOS管不会导通，和负载的回路就是断的，从而保证电路安全。

PMOS管防止电源反接电路：

正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，电源与负载形成回路，所以S极电位就是VBAT-0.6V，而G极电位是0V，PMOS管导通，从D流向S的电流把二极管短路。

电源接反时：G极是高电平，PMOS管不导通。保护电路安全。

MOS管连接技巧：

NMOS管DS串到负极，PMOS管DS串到正极，让寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向。

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