一些不错的场效应管功放电路图分享-KIA MOS管
场效应管功放电路图
场效应管多管并联输出，500W。
场管跟普功率最大不同就是场管是用电压驱动，在驱动级上有些不一样，音质怎么样要看设计和工艺。
IRFB33N15D，其导通内阻低达56mΩ，最大电流为33A，耐压却有150V，常用于DC/DC的变换器中，在数字功放中，也经常应用。
其也有不足的地方，其输入电容为2020pF，和常见的MOS管一样，在驱动它时，就要采用特殊电路来驱动，如同电路中的R29和D3并联电路，也是业界惯用手法，其作用是：
当没有R29时，Q7的栅极直接接前面的IC引脚，其内部都是图腾柱电路，由于是容性负载，都会有振荡产生，从而使驱动波形出现振铃现象，产生的后时是，MOS管开启不够，内阻大，效率低。
串入R29可以消除这种振荡，其和后续的MOS管输入电容（Ciss）的时间常数要远小于MOS管的开启时间13ns，而4.7Ω的2020pF的时间常数为9.5nS，满足要求。
IRFB33N15D用标准电路（相当于R29为3.6Ω）驱动时，其恢复时间长达130nS，这也是MOS管的通病，为了加快关断（争取这9.5nS的时间），在关断时，希望栅级电阻为0，所以会在R29上反向并联肖特基二极管D3（其工作频率可以近GHz），来加速放电。
IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V之间，实际驱动时，取决于IRS2902S的工作电压，实际都在10V左右，肖特基二极管D3的正向压降只有1.2V左右（电流1A，但其ΔV/ΔI约为0，动态内阻极低），已经可以确保Q7和栅极处于低于VGS以下，对关断没有影响。要学习动态内阻的含义，如同电源，其压降可能是5V，但其内阻可以低达十几毫欧。
这个电路里的两颗场效应管不能同时导通，所以，在它们工作的时候，要关断优先，导通稍缓。D3，D4二极管就能够在驱动电压下降的时候，迅速释放场效应管的栅极结电压，从而使管子从导通状态恢复到关断状态的时间大大缩短。
而驱动电压上升的时候，要通过R29，R27给管子的栅极结电容充电，从而延缓了管子的导通时间。 就这样实现了关断优先，导通稍缓的功能，大大的避免了一个管子还没退出导通，另一个管子已经进入导通的状态。
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