快速掌握MOS管源极和漏极的区别-KIA MOS管

MOS管源极和漏极的区别

在MOS管结构示意图中，我们可以看出左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。

但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。

一、指代不同

1、源极：简称场效应管。仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。

二、原理不同

1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示)，就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

MOS管的定义：我们都在知道场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，其用P+表示，形成两个P+N结。

而N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子(也就是电子)可以导电。

它们从源极S出发， 流向漏极D。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID。由于导电沟道是N型的，所以称为N沟道结型场效应管。场效应管(包括结型和绝缘栅型)的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。

但是有的绝缘栅场效应管在制造产品 时已把源极和衬底连接在一起了 ，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。

对于绝缘栅NMOS管，接高压为漏端，接低压为源端。PMOS刚好相反。从原理上，NMOS载流子是电子，由低电压处提供，所以低压端称源端，PMOS载流子是空穴，由高压处提供，所以高压端称源端。

MOS管源极、栅极加一个电阻有什么作用？

MOS管源极、栅极之间的电阻：

一是为场效应管提供偏置电压；

二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S；

保护栅极G-源极S：

场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极；

这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，从而起到了保护场效应管的作用。

具体的例子：MOS管在开关状态工作时，Q1、Q2是轮流导通，MOS管栅极在反复充、放电状态，如果在此时关闭电源，MOS管的栅极就有两种状态：

一种是放电状态，栅极等效电容没有电荷存储；另一个是充电状态，栅极等效电容正好处于电荷充满状态，如下图a所示。

虽然电源切断，此时Q1、Q2也都处于断开状态，电荷没有释放的回路，但MOS管栅极的电场仍然存在（能保持很长时间），建立导电沟道的条件并没有消失。

这样在再次开机瞬间，由于激励信号还没有建立，而开机瞬间MOS管的漏极电源（V1）随机提供，在导电沟道的作用下，MOS管立刻产生不受控的巨大漏极电流Id，引起MOS管烧坏。

为了避免此现象产生，在MOS管的栅极对源极并接一只泄放电阻R1，如下图b所示，关机后栅极存储的电荷通过R1迅速释放，此电阻的阻值不可太大，以保证电荷的迅速释放，一般在五千欧至数十千欧左右。

灌流电路主要是针对MOS管在作为开关营运用时其容性的输入特性，引起“开”、“关”动作滞后而设置的电路，当MOS管作为其他用途，例如线性放大等应用时，就没有必要设置灌流电路。

R38电阻的作用是：

一：减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般0.1欧姆或者更低)。

二：若不加R38电阻，高压情况下便会因为mos管开关速率过快而导致周围元器件被击穿。

但R38电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢，Rds从无穷大到Rds（on）的需要经过一段时间，高压下Rds会消耗大量的功率，而导致mos管发热异常。

R42电阻的作用是：

一：作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电，防止mos管产生误动作，甚至击穿mos管（因为只要有少量的静电便会使mos管的G-S极间的等效电容产生很高的电压），起到了保护mos管的作用。

二：为mos管提供偏置电压。

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