PMOS低电平驱动|三极管与MOS管驱动电路解析-KIA MOS管
PMOS低电平驱动-驱动电路解析
三极管和MOS管的基本特性
三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种，符号如下：
MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS)，符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管)：
PMOS低电平驱动-三极管、MOS管的正确应用
(1)P型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V，P型三极管即可开始导通。
基极用高电平驱动P型三极管导通(低电平时不导通)；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，P型三极管能够更快更可靠地截止。
(2)N型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压(此处为VCC)0.7V，N型三极管即可开始导通。
基极用低电平驱动N型三极管导通(高电平时不导通)；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，N型三极管能够更快更可靠地截止。
PMOS低电平驱动-如上所述：
对NPN三极管来说，最优的设计是，负载R12接在集电极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R12接在射极和GND之间。
对PNP三极管来说，最优的设计是，负载R14接在集电极和GND之间。不够周到的设计是，负载R14接在集电极和VCC之间。
这样，就可以避免负载的变化被耦合到控制端。从电流的方向可以明显看出。
(3)PMOS，适合源极接VCC漏极接负载到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压(此处为VCC)超过Vth(即Vgs超过-Vth)，PMOS即可开始导通。
栅极用低电平驱动PMOS导通(高电平时不导通)；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，PMOS能够更快更可靠地截止。
(4)NMOS，适合源极接GND漏极接负载到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压(此处为GND)超过Vth(即Vgs超过Vth)，NMOS即可开始导通。
栅极用高电平驱动NMOS导通(低电平时不导通)；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使栅极控制电平由高变低时，栅极能够更快被拉低，NMOS能够更快更可靠地截止。
如上所述：
对PMOS来说，最优的设计是，负载R16接在漏极和GND之间。不够周到的设计是，负载R16接在源极和VCC之间。
对NMOS来说，最优的设计是，负载R18接在漏极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R18接在源极和GND之间。
为避免负载的变化被耦合到控制端(基极Ib或栅极Vgs)的精密逻辑器件(如MCU)中，负载应接在集电极或漏极。
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