MOS管 IGBT|全桥驱动电路-KIA MOS管
全桥驱动电路
本文介绍了全桥逆变电路的整个驱动部分。
信号发生电路：
信号发生电路比较简单，主要是产生两路带死区互补的方波信号，一定要互补带死区的方波信号，否则会造成MOS/IGBT误导通，造成MOS/IGBT管损坏。
常见的信号发生电路有单片机、FPGA等处理芯片控制，也可以使用信号发生专用芯片控制两路信号的产生，如UCC3895。
信号隔离电路：
全桥驱动电路-由于全桥逆变电路中的高压极易通过驱动电路对控制电路的低压形成干扰，故驱动信号和MOSFET的连接需要进行电气上的隔离，采用变压器隔离和光耦隔离是最常见的方式。
其中光耦隔离操作简单，是经常使用的隔离方式。综合考虑实验要求、材料性能、性价比、制作成本等因素，选择光耦6N137作为隔离器件。
6N137工作的频率可以高达10MHz，输出的导通时间为50ns，关断时间为12ns，可起到隔离强电和弱电的作用。
全桥驱动电路：
信号发生电路产生的控制信号电流小，幅值低，无法使MOS管快速导通和关断，因此需要MOS驱动器对信号进行放大，增大其功率，使其能够快速导通关断MOS管。
在全桥逆变电路中如果用只能驱动单个MOS管的常规驱动器，需要四个，会增大电路的面积，使电路变得臃肿。
IR2110（最高频率500KHz）的高端悬浮自举电源的设计，可以大大减少驱动电源的数目，即一组电源即可实现对上下端的控制。
IR2110两个输入端接6N137输出的两路控制信号。HO与VS分别接在MOS管Q3的栅极与源极，构成自举电路，用来驱动上半桥的二极管；LO接在MOS管Q4的栅极，用来驱动下半桥的MOS管。
最后附上硬件电路图：
其中输入是带死区互补的两路方波信号，输出控制全桥逆变电路的四个MOS管或IGBT管。
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