场效应管漏极以及与源极的本质区别-KIA MOS管
场效应管漏极特性
图11-7所示是场效应管漏极12-21C/W1D-AR1S2/2C特性曲线，它与晶体三极管的输出特性曲线相似。电压UcJ。一定时，漏极电流五会随漏、源极之间电压Us变化而改变，这一特性称为漏极特性。图中，横坐标表示漏、源极之间电压。纵坐标表示漏电流五。
场效应管漏极特性曲线是一个曲线族，在电压U。值不同时，有不同的漏极特性曲线（在晶体三极管输出特性曲线中改变，获得一条输出特性曲线）。从这一点上也可以看出，场效应管是一个电压控制器件。
从漏极特陛曲线中可以看出有3个区，即I区、Ⅱ区、Ⅲ区，表11-6所示是对这三个区的说明。
场效应管栅极偏置特性解说
场效应管同三极管一样，用于放大信号时要给予它适当的偏置电压，即给栅极一个直流偏置电压。这一电压是加到栅极与源极之间的。
对结型场效应管而言，栅极与源极之间应加反向偏置电压。
对于绝缘栅场效应管而言，视是增强型还是耗尽型而有所不同：对增强型管而言，栅极与源极之间应采用正向偏置；对耗尽型管而言，栅极与源极之间可加正向、零、反向偏置。
场效应管源极和漏极的本质区别是什么？
一、两者的结构原理不同：
1、源极的结构原理：一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟道的结型场效应管。上图给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。
2、漏极的结构原理：在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。
二、两者的特点不同：
1、源极的特点：属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
2、漏极的特点：可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，?或驱动比芯片电源电压高的负载。
三、两者的作用不同：
1、源极的作用：共射极放大电路类似，共源极放大电路具有一定的电压放大能力，且输出电压与输入电压反相，故被称为反相电压放大器；共源极放大电路的输入电阻很高，输出电阻主要由漏极电阻Rd决定。适用于作多级放大电路的输入级或中间级。
2、漏极的作用：由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样就可以进行任意电平的转换了。
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