PNP型三极管基础知识详解-KIA MOS管

PNP型三极管解析

PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管。

PNP型三极管发射极电位最高，集电极电位最低，UBE<0.三极管按结构分，可分为NPN型三极管和PNP型三极管。

下图PNP型三极管。

三极管导通时IE=（放大倍数+1）*IB和ICB没有关系，ICB=0 ICB>0时，可能三极管就有问题，所以三极管在正常工作时，不管是工作在放大区还是饱和区ICB=0

当UEB>0.7V（硅）（锗0.2V），RC/RB<放大倍数时，三极管工作在饱和区，反之就工作在放大区。

PNP型三极管与NPN型三极管区别

2个PN结的方向不一致。

PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。

NPN则相反

工作原理：

晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）基极区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。

由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic

这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：

β1=Ic/Ib

式中：β1--称为直流放大倍数，

集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：

β= △Ic/△Ib

式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。

同理，PNP三极管则主要是形成空穴电流，其余原理基本相近。

三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。

pnp型的三极管使用方法

三极管在数字电路和模拟电路中都有大量的应用，图 3-5 的 LED 电路中的 Q16就是一个 PNP 型的三极管。

图 3-5 LED 电路

三极管的初步认识三极管是一种很常用的控制和驱动器件，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管应用较少，本文用硅管的参数来进行讲解。三极管有 2 种类型，分别是 PNP 型和 NPN 型。先来认识一下，如图 3-6。

图 3-6 三极管示意图

三极管一共有 3 个极，从图 3-6 来看，横向左侧的引脚叫做基极（base），中间有一个箭头，一头连接基极，另外一头连接的是发射极 e（emitter），那剩下的一个引脚就是集电极 c（collector）了。

三极管的原理三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用于模拟电路中。而数字电路主要使用的是三极管的开关特性，只用到了截止与饱和两种状态，只来讲解这两种用法。

三极管的类型和用法总结一句口诀：箭头朝内 PNP，导通电压顺箭头过，电压导通，电流控制。下面来解析一下。图 3-6，三极管有 2 种类型，箭头朝内就是PNP，那箭头朝外的自然就是 NPN 了，在实际应用中，要根据实际电路的需求来选择到底用哪种类型。

三极管的用法特点，关键点在于 b 极（基极）和 e 级（发射极）之间的电压情况，对于PNP 而言，e 极电压只要高于 b 级 0.7V 以上，这个三极管 e 级和 c 级之间就可以顺利导通。

也就是说，控制端在 b 和 e 之间，被控制端是 e 和 c 之间。同理，NPN 型三极管的导通电压是 b 极比 e 极高 0.7V，总之是箭头的始端比末端高 0.7V 就可以导通三极管的 e 极和 c 极。这就是关于“导通电压顺箭头过，电压导通”的解释。

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