MOSFET的FT，如何定义？FT计算-KIA MOS管
MOSFET-FT定义
在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit frequency”(fT)
FT计算
MOS的小信号模型如下：
输入电流Iin(ω):
(1)
输出电流Iout(ω):
(2)
电流增益:
(3)
低频时,gm>>ωCgs
(4)
高频时,gm<<ωCgs
(5)
我们让(4)式等于1,可以求出ωt (注: FT=ωt/2π)
(6)
根据gm表达式, 用Vgs替换掉式(6)中的gm
(7)
把(7)带入(6)得到:
(8)
影响因素
根据式(8),可以知道–增大Vgs可以增大FT–减小沟道L会增大FT
进一步说: 根据式(6)
–增大偏置电流可以增大FT(FT:∝电流的平方根）
–当偏置电流恒定，减小沟道的L可以增大FT[FT∝L^(-3/2)]
注意
–FT不受S端和D端结电容的影响。
–FT不受RG的影响，且仍等于上面(6)给出的值。
PS: 小尺寸MOS管FT笔记
FT随过驱动而增加，但随着垂直电场减小了迁移率变而平。下面绘制的是NMOS器件的fT，其中W / L = 5μm/ 40 nm VDS = 0.8 V.
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