三相全桥MOS管驱动电路调试记录-KIA MOS管
三相全桥MOS管驱动电路
未接入全桥时，电流转电压测量波形包含噪声，周期约为17us左右，幅值为120mV左右，振荡周期约为1.3us左右，如下图所示。
经过运放放大10倍后的波形中噪声减弱，猜测是因为运放内部的频带限制使高频噪声衰减，同时猜测该高频噪声来自于开关电源。
接入MOS管并且加入24V电压后，IR2136的输出驱动电压如图所示：
测试程序：A相的上下MOS管以10ms导通时间交替导通；B相与C相都锁定不导通。
低端MOS管如图黄色通道1所示，导通完全正常；可是高端MOS管在导通接近2ms后就直接关闭，目前原因尚不清楚。
与上图对应的A相桥臂输出波形如图所示：
可见高端MOS管的导通与上图的驱动波形相对应。
后续任务：
阅读IR2136芯片数据手册，弄清自举驱动芯片的具体工作原理，并弄清楚导通时间的受影响因素。
增加测试：减小交替导通时间为2ms左右，观察MOS管桥臂的导通情况。
可能是因为自举电容充电时增加了限流电阻
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