移动电源系统中MOS管和肖特基二极管怎么选？-KIA MOS管
移动电源、MOS管、肖特基二极管
移动电源设计并不复杂，大部分工作在于根据主控芯片选择充放电回路中的MOS管、肖特基二极管、电阻器、电容器和电感器及其相关参数。本文介绍典型移动电源类感性负载电源系统原理及PCB布线。
电路原理
充电回路中，充电器从J1接入，充电电压经过二极管D7后施加到由PMOS管Q12、NMOS管Q3和电感器L1组成的同步降压电路，主控芯片CSU8RP3119B通过输出互补PWM控制PMOS管Q12、NMOS管Q3实现对电池线性充电。
移动电源类感性负载电源系统原理
放电回路中，电池电压经过由电感L1、PMOS管Q12、NMOS管Q3和输出电容组成的同步升压电路，主控芯片CSU8RP3119B通过输出互补PWM控制PMOS管Q12、NMOS管Q3实现5V恒压输出。
电感器参数选择
电感参数主要与主控芯片的PWM输出频率相关，建议300KHZ的PWM频率采用2.2uH电感器，250KHZ的PWM频率采用3.3uH电感器，200KHZ的PWM频率采用4.7uH电感器。
输出电容参数
对于三合一移动电源，输出电容至少需要2个22uF+1个0.1uF的陶瓷电容，否则会造成系统输出电压不稳定。如果需要实现更小的纹波（<100mV）要求，可根据实际情况增加1-2个22uF电容器，注意耐压要保证在10V以上。
芯片VDD设计
当移动电源带重载拔出，或者输出端短路时，由于软件动态响应速度问题，主控芯片瞬间有可能输出占空比较大的PWM，导致Vout端出现高压。
由于主控芯片VDD是由Vout电压供电，为防止芯片被瞬间产生的高压打坏，在VDD端必须串联一个肖特基二极管和一个10欧姆电阻器，保证芯片VDD端的电压低于极限电压6.0V。
另外，中控芯片VDD建议采用电池电压和Vout电压双电压供电。当系统睡眠时通过电池电压供电，保证芯片正常工作。当系统升压施，采用Vout电压供电，保证系统转化效率。
芯片IO接口电路
芯片IO接口可靠性设计基本原则是“三个保证”，即保证芯片IO电压不大于VDD+0.3V，保证芯片所有IO注入电流不大于150mA，保证芯片所有IO输出总电流不大于150mA。
PCB布局要求
移动电源类感性负载电源系统对PCB布线要求比较高，布局不合理会造成主控芯片被高压损坏。
移动电源类感性负载电源系统对PCB布线
MicroB接口进来的电压经过D7后直接灌到主控芯片U4的VDD，当接入比较差的适配器时，有可能会产生高压并损坏中控芯片。
这种情况下，NC的C10电容器必须焊接22uF以上的电容MicroB接口进来的电压经过二极管D7和电容C15、C16、C17输出电容后才到主控芯片U4的VDD。
另外，升压电路出来的电压同样经过电容C15、C16、C17才到主控芯片U4的VDD，这样的布局对于主控芯片的高压保护起到很好保护作用，并且MicroB接口端的大电容C10可以省掉，以节省成本。
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