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​KIA2803A 替代AON6512 30V150A规格书 品质保证-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2021-04-28 

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KIA2803A 替代AON6512 30V150A规格书 品质保证-KIA MOS管


KIA2803A 替代AON6512 30V150A

KIA2803A,AON6512两个型号的具体参数、封装、电路特征等。


(一)AON6512参数电流:150A

电压:30V

漏源电压:30V

栅源电压:±20V

雪崩电流:70A

雪崩能量:123MJ

漏源击穿电压:30V

前向传导:85S

输入电容:3430pF

输出电容:1327pF

反向转移电容:175pF


(二)AON6512应用领域

1、计算、服务器和POL中的DC/DC转换器

2、电信和工业中的隔离DC/DC转换器


(三)AON6512封装引脚图


KIA2803A 替代AON6512 30V150A


KIA2803A 替代AON6512 30V150A



(一)替代AON6512- KIA2803A特征

1、RDS(on)=2.2mΩ(类型)@VGS=10V

2、低导通电阻

3、100%雪崩试验

4、无铅、符合RoHS标准


(二)KIA2803A参数

产品型号:KIA2803A

工作方式:150A/30V

漏源极电压:30V

栅源电压:±20V

连续漏电流@VGS=10V,TC=25oC:150A

脉冲漏电流测试TC=25oC:600A

单脉冲雪崩能:625MJ

最大功率消耗TC=25oC:160W

最高温度:175℃

贮存温度范围:-55℃至+175℃


(三)KIA2803A封装图


KIA2803A 替代AON6512 30V150A


KIA2803A 替代AON6512 30V150A



KIA2803A MOS管原厂介绍


KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


拥有独立的研发中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。


KIA2803A 替代AON6512 30V150A


强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!



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