KIA30N06B 60V25A中文资料 MOS管原厂现货直销-KIA MOS管
KIA30N06B 60V25A中文资料-描述
KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET ,它为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KIA30N06B满足RoHS和绿色产品要求，100%的EAS保证了全部功能的可靠性。
特点
RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V
先进的高密度沟槽技术
超低端滑盖装
优良的CDV/dt效应递减
100% EAS保证
绿色的可用设备
应用
高频点同步降压变换器
网络化DC-DC电源系统
负荷开关
产品型号：KIA30N06
工作方式：25A.60V
漏流电压：60V
栅源电压（连续）：±20V
连续漏电流：25A
脉冲漏极电流：50A
雪崩能量：22.6A
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：60V
温度系数：0.063V/℃
栅极阈值电压：12V
输入电容：1345 PF
输出电容：72.5 PF
上升时间：14.2 ns
封装形式：TO-251、TO-252
KIA30N06B 60V25A中文资料-封装图
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
