HY1906替代MOS管 KNX3308A规格参数封装详解-KIA MOS管
HY1906替代MOS管 KNX3308A
国产MOS管KNX3308A和HY1906两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息详细介绍。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
HY1906替代MOS管 KNX3308A-产品特征
RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V
提供无铅环保设备
降低导电损耗的低RD值
高雪崩电流
MOS管 KNX3308A应用领域
电力供应
直流变换器
HY1906替代MOS管 KNX3308A-主要参数
型号：KNX3308A
电流：80A
电压：80V
漏源极电压:80V
栅源电压:±25
脉冲漏电流：340A
雪崩电流:20A
雪崩能源:410MJ
MOS管 KNX3308A封装引脚图
KNX3308A产品规格书
查看规格书，请点击下图。
MOS管 HY1906 60V/70A产品特征
RDS(ON)=5.7 mΩ(typ.)@VGS=10V
雪崩测试100%
MOS管 HY1906 60V/70A参数
型号：HY1906
参数：60V/70A
漏源电压：60V
栅源电压:±25V
源电流连续:70A
脉冲漏电流:260A
连续漏电流 Tc=25℃:70A
连续漏电流 Tc=100℃:49.5A
单脉冲雪崩能量286.6MJ
漏源击穿电压：60V
输入电容：4620PF
输出电容：410PF
反向传输电容:360PF
MOS管 HY1906 60V/70A规格书
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