MOS管80V80A可替代飞虹90N08 KNB3308B 免费送样-KIA MOS管
80V80A可替代飞虹90N08 KNB3308B
型号：KNB3308B
电流：80A
电压：80V
漏源极电压：80V
栅源电压：±25V
雪崩电流:40A
雪崩能源:440MJ
接头和储存温度范围:-55℃至+175℃
80V80A可替代飞虹90N08 KNB3308B产品特性
1、RDS(ON)=7.2mΩ(typ)=VGS=10V
2、无铅绿色设备
3、低Rds-最小化导电损耗
4、高雪崩电流
80V80A可替代飞虹90N08 KNB3308B引脚图及封装
KNB3308B领域用途
1、电力供应
2、直流变换器
KNB3308B电路图
MOS管KNB3308B产品附件
以下为KNB3308B产品PDF格式的详细资料，查看详情请点击下图。如有需要请联系我们，KIA半导体将会竭诚为您服务！
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