场效应管的特性以及有哪些特点？-KIA MOS管
场效应管的特性
下面以N沟道结型场效应管为例说明场效应管的特性。
图1.1为场效应管的漏极特性曲线。输出特性曲线分为三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区 。
（ 1） 可变电阻区： 图中VDS很小，曲线靠近左边。它表示管子预夹断前电压.电流关系是：当VDS较小时，由于VDS的变化对沟道大小影响不大，沟道电阻基本为一常数，ID基本随VGS作线性变化。
当VGS恒定时，沟道导通电阻近似为一常数，从此意义上说，该区域为恒定电阻区，当VGS变化时，沟道导通电阻的值将随VGS变化而变化，因此该区域又可称为可变电阻区。利用这一特点，可用场效应管作为可变电阻器 。
（2）恒流区:图中VDS较大,曲线近似水平的部分是恒流区,它表示管子预夹断后电压.电流的关系,即图1.1两条虚线之间即为恒流区(或称为饱和区)该区的特点是ID的大小受VGS可控, 当VDS改变时ID几乎不变，场效应管作为放大器使用时，一般工作在此区域内。
（3）击穿区：当VDS增加到某一临界值时，ID开始迅速增大, 曲线上翘, 场效应管不能正常工作,甚至烧毁，场效应管工作时要避免进入此区间。
（4）场效应管特性曲线的测试
场效应管的特性曲线可以用晶体管图示仪测试，也可以用逐点测量法测试。图1.2是用逐点测量法测试场效应管特性曲线的原理图。场效应管的转移特性曲线是当漏源间电压VDS保持不变，栅源间电压VGS与漏极电流ID的关系曲线，如图1.3所示：
在上图中，先调节VDD使VDS固定在某个数值上，当栅源电压VGS取不同的电压值时（调节RW），ID也将随之改变，利用测得的数据，便可在VGS～ID直角坐标系上画出如图3.2.3的转移特性曲线。
当VDS取不同的数值，便可得到另一条特性曲线。ID=0时的VGS值为场效应管的夹断电压VP,VGS=0时的ID值为场效应管的饱和漏极电流IDSS。
漏极特性曲线是当栅源间电压VGS保持不变时，漏极电流ID与漏源间电压VDS的关系曲线，当VDS取不同的数值时便可测出与之对应的ID值，对于不同的VGS可以测得多条漏极特性曲线。
晶体管是电流控制器件，作放大器件用时，发射结必须正偏。场效应管是电压控制器件，N沟道结型场效应管工作时G、S间必须加反向偏置电压。
场效应管的特点
1.场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,应此对于信号源额定电流极小的情况下，常选用场效应管。
2.场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电。但少子受环境影响明显。
3.场效应管FET和晶体管BJT一样具有放大作用，而且这两种放大元件间存在着电极对应关系G-b，S-e，D-c。因此根据BJT电路，即可得到与之对应的FET放大电路。但不能简单地加以替换，否则有时电路不能正常工作。场效应除作放大器件及可控开关外还可作压控可变线性电阻使用。
4.场效应管S极和D极是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管栅源电压可正可负使用比晶体三极管灵活。
5.场效应管组成放大电路时与晶体管一样，必须选择合适的静态工作点，栅极必须有合适的偏压，但不出现偏流，对不同类型场效应管对偏压的极性要求不同，特列如下：
注：JFET表示结型场效应管，DMOS表示耗尽型场效应管；EMOS表示增强型场效应管。
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