绝缘栅场效应管分析图解-KIA MOS管
绝缘栅场效应管图解
绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于1000000000Ω。
增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。
1. 结构和符号（以N沟道增强型为例）
在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
增强型绝缘栅场效应管结构
1、栅极G与漏极D、源极S之间相绝缘，它们之间的电阻无限大；
2、没有外加电压时漏极与源极之间不导通；增强型NMOS管是以P型硅片作为基片（又称衬底），漏极连接的为N半导体，衬底与源极连在一起，故P型衬底与漏极N型半导体会形成二极管，称为寄生二极管；因此漏极和源极之间的反向电阻很小。
增强型绝缘栅场效应管工作原理：在栅极与源极之间加上正向电压后，达到一定值后就会形成导电沟道，改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力。
耗尽型绝缘栅场效应管结构
1、栅极与漏极、源极绝缘，它们之间的电阻无限大；
2、漏极与源极之间能够导通，沟道在制造时就已形成；在栅极与源极之间加上反向向电压后，改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力。
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