MOS管并联均流问题及注意事项-KIA MOS管
MOS管并联均流影响
随着电力电子技术的迅速发展，MOS管以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等优点在高频感应加热电源中得到了广泛的应用。但是，MOS管容量的有限也成了亟待解决的问题。
从理论上讲，MOS管的扩容可以通过串联和并联两种方法来实现，实际使用中考虑到其导通电阻RDS(on)具有正温度系数的特点，多采用多管并联来增加其功率传导能力。
1.影响MOS管并联均流的因素
在MOS管多管并联时，器件内部参数的微小差异就会引起并联各支路电流的不平衡而导致单管过流损坏，严重情况下会破坏整个逆变装置。影响并联均流的因素包括内部参数和外围线路参数。
2.内部参数对并联均流的影响
影响功率MOSFET并联均流的内部参数主要有阈值电压VTH、导通电阻RDS(on)、极间电容、跨导gm等。内部参数差异会引起动态和静态不均流。
因此，要尽量选取同型号、同批次并且内部参数分散性较小的MOSFET加以并联。
3.外围线路参数对并联特性的影响
MOSFET并联应用时，除内部参数外，电路布局也是一个关键性的问题。在频率高达MHz级情况下，线路杂散电感的影响不容忽视，引线所处电路位置的不同以及长度的很小变化都会影响并联开关器件的性能。
影响功率MOSFET并联均流的外电路，参数主要包括：栅极去耦电阻Rg、栅极引线电感Lg、源极引线电感Ls、漏极引线电感Ld等。在多管并联时一定要尽量使并联各支路的Rg及对应的各引线长度相同。
MOS管在并联均流的注意事项：
无论在开通，关断，导通过程中流过MOS管，电流都会让MOS管工作在安全区内，MOS管安全作用得保障。MOS管并联均流技术，可以保证MOS管工作在安全工作区内，可提高并联电路工作可靠性。
1.开通Td(on)与关断延迟时间td(off)：
开通上升、关断下降时间，在同一驱动脉冲作用下，开通、关断、上升、下降不同 ，引起MOS管开通或关断时刻不同，引起先开通或后关断的MOS 管流过整个回路电流，此时电流偏大，不限制，对MOS 管安全工作造成威胁。
2.开启电压VGSth
同一驱动脉冲作用，开启电压不同，引起MOS管开通时间不同，引起先开通MOS管先流过整个回路电流，此刻电流很大，应该限制，不然后对MOS管安全工作造成威胁；
3.驱动极回路驱动输入电阻，等效输入电容，等效输入电感，都会造成引起MOS管开通或判断时间不同；
4.饱和压降VDs或导通RDSon
所有并联MOS管，导通压降是相同的，饱和电压小MOS管先流过较大电流，结温升高，MOS管压降增大，流过MOS管压降大MOS管电流又会增大，致减轻MOS管压降小MOS管工作压力。
N沟道功率型MOS管饱和压降VDs或导通电阻RDSon有正温度特性，适合并联。
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