MODFET的基本原理
调制掺杂场效应晶体管(modulatiorri-doped field effcct transistorJ．MODFET)为异质结构的场效应器件．其他常用到的名称有高电子迁移率晶体管(high electron mobility lran-sistor．HEMT)、二维电子气场效应晶体管(two-dimensional electron gas field-effect tran-sistor．TEGFET)
图7，1、6为传统MODFET的透视图．MODFET的特征是栅极下方的异质结结构以及调制掺杂层，对于图7：．16中的器件来说．AIGaAs为一宽禁带半导体，而GaAs则为窄禁带半导体．这两种半导体是被调制掺杂的，也就是说，除了在极窄的区域如中并无掺杂外
AIGaAs是被掺杂的，而GaAs glil未破掺杂．AIGaAs中的电子将扩散到无掺杂的GaAs中.
