NMOS高端驱动自举电路图文分享-KIA MOS管
电容自举驱动NMOS电路
VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地，所以加载在电容C2两端的电压约为14V。
图1电容自举驱动NMOS电路
（1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截止，C通道输出高电平，Q3导通，D通道输出高电平48V，由于C2两端电压14V，所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，
即电容C2的正极电压位62V左右，经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极，电容C2起到了自举抬升电压的作用，使Q3持续导通。
（2） 当V1输入低电平时，Q1、Q4截止，B通道输出低电平，Q2导通，Q2的导通为Q3的栅极提供放电电路（栅极电压通过Q2、电阻R1放电），使得电容C2的负极电压接近0V，即D通道输出低电平。
图2 电容自举驱动NMOS电路仿真
MOSFET驱动电路
图3 MOSFET驱动电路
（1） 当V1=V2=5V时，Q1、Q4导通，Q2截止，VCC经过D2、Q4、D1、R4到达Q3的栅极，Q3导通；Q6、Q7截止，Q8导通，Q8的导通为Q5的栅极提供放电回路，Q5截止；
（2） 当V1=V2=0V时，Q1、Q4截止，Q2导通，Q2的导通为Q3的栅极提供放电回路放电电流经过Q2、Q5到地；Q6、Q7导通，Q8截止，VCC经过Q7、电阻R1到达Q5的栅极，Q5导通。
实际应用中，保持V1、V2同相可以避免上下管同时导通。
推挽驱动NMOS电路
图4推挽驱动NMOS电路
（1） 当V1=3.3V时，Q3导通，P1为低电平，使得Q2截止、Q4导通，Q4的导通为Q1的栅极提供放电回路，P2为低电平，Q1截止。
（2） 当V1=0V时，Q3截止，电阻R2将P1钳位在高电平，使得Q2导通、Q4截止，Q2的导通为Q1的栅极提供充电电路，P2为高电平，Q1导通。
图5 推挽驱动NMOS电路仿真
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