MOS管原厂KNX4760A 600V8A 专业制造 现货直销-KIA MOS管
MOS管原厂KNX4760A 600V8A-产品特征
专业平面新技术
RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V
低栅极电荷使开关损耗最小化
快恢复体二极管
MOS管原厂KNX4760A 600V8A-应用领域
适配器充电器
SMPS电源
液晶面板电源
MOS管 KNX4760A封装
MOS管原厂KNX4760A 600V8A-主要参数
漏源电压：600V
栅源电压:±30V
连续漏电流：8.0A
单脉冲雪崩能量：580MJ
峰值二极管恢复dv/dt：5.0V/ns
漏源击穿电压：600V
输入电容：1250pF
输出电容：110pF
反向转移电容：16pF
漏源二极管正向电压：1.5V
连续漏源电流：8A
MOS管原厂KNX4760A 600V8A-规格书
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