600V9.5A MOS管KIA10N60H 产品资料 原厂好价-KIA MOS管
600V9.5A MOS管KIA10N60H-描述
KIA10N6OHN沟道增强型硅栅功率MOSFET适用于高电压、高速功率开关如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥到全桥的电子灯镇流器等。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低栅电荷（典型的44nc)
3、快速切换能力
4、雪崩能量指定值
5、增强的dv/dt能力
600V9.5A MOS管KIA10N60H-主要参数
产品型号：KIA10N60H
工作方式：9.5A/600V
漏源极电压:600V
栅源电压:±30V
漏电流连续:9.5A/5.7A
峰值二极管恢复:4.5V/ns
结温:+150℃
贮存温度:-55℃至150℃
600V9.5A MOS管KIA10N60H-标准封装
600V9.5A MOS管KIA10N60H-电路图
600V9.5A MOS管KIA10N60H-产品附件
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