场效应管的微变等效电路分析-KIA MOS管
场效应管的微变等效电路
场效应管的微变等效电路如图所示。
晶体管的微变等效电路
得到了晶体管的h参数后，就可以画出晶体管的线性等效电路，图z0214是晶体管的h参数等效电路。
关于h参数等效电路，应注意以下几点：
（1）电压的参考极性为上正下负，电流的参考正方向是流入为正；
（2）电路中出现了受控源。受控源的大小和极性均具有从属性。在分析电路时，可以象独立源一样进行等效变换，但控制量不能丢失，在涉及独立源取零值的处理中，不能对受控源进行开路或短路处理，只能视控制量而定。
（3）微变等效电路只适用于低频小信号放大电路，只能用来计算交流分量，不能计算总的瞬时值和静态工作点。
（4）晶体管的输入电阻 rbe（hie）一般可用下列近似公式进行估算：
式中 表示晶体管基区的体电阻，对一般小功率管约为300ω左右（计算时，若未给出，可取为300ω），ie为通过管于发射极的静态电流，单位是ma。在ie≤5ma范围内，式gs0220计算结果与实际测量值基本一致。
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