650V7A MOS管资料 KIA7N65H参数 现货直销 专业制造-KIA MOS管
650V7A MOS管资料 KIA7N65H参数
描述
KIA7N65H-功率MOSFET是使用KIASMER先进的平面条纹DMOS技术生产的。这一先进技术特别适合在雪崩和换流模式下最小化状态电阻，提供优越的开关性能，并能承受高能量脉冲。
这些器件非常适合于高效率开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
650V7A MOS管资料 KIA7N65H参数-特征
RDS(on)=1.2? @ VGS=10V
低栅电荷(典型29 nC)
高强度
快速开关
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
650V7A MOS管资料 KIA7N65H参数-封装图
650V7A MOS管资料 KIA7N65H参数
650V7A MOS管资料 KIA7N65H-电路图
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
