KIA12N60H 600V12A高压MOS管 规格书 原厂现货 价格优势-KIA MOS管
KIA12N60H 600V12A高压MOS管资料
KIA12N60H描述
KIA12N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET。适用于高电压、高速电源开关应用，例如高效开关模式电源，有源功率因数校正，基于半桥拓扑的电子灯镇流器等。
KIA12N60H 600V12A高压MOS管-特征
RDS(on)= 0.53Ω @ VGS= 10 V
栅极电荷低(典型为52nC)
快速交换能力
指定的雪崩能量
改进的DV/DT功能
KIA12N60H 600V12A高压MOS管-封装图
KIA12N60H 600V12A高压MOS管-参数
KIA12N60H 600V12A高压MOS管-电路图
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