KIA6N70H 700V5.8A参数规格 国产优质MOS 原厂价优-KIA MOS管
KIA6N70H 700V5.8A MOS管产品概述
这款功率MOSFET是使用KIA半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。这个先进的技术是KIA半导体专门定制的。可以减少冲击，提供优越的开关性能，能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲，这款产品非常适合于高效率开关电源、有源功率因数校正，基于半桥拓扑。
KIA6N70H 700V5.8A参数规格-特点
RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V
低栅电荷（典型16NC）
高耐用性
快速切换
雪崩测试100%
提高dv/dt能力
KIA6N70H 700V5.8A参数
型号：KIA6N70H
工作方式：5.8A/700V
漏源电压：700V
脉冲漏电流:20* A
栅源电压:±30V
单脉冲雪崩能量:150MJ
雪崩电流:4.8A
重复雪崩能量:9.5MJ
峰值二极管恢复dv/dt:4.5 V/ns
漏源击穿电压:700V
KIA6N70H 700V5.8A参数规格-封装图
KIA6N70H 700V5.8A规格书
查看及下载规格书，请点击下图。
KIA MOS管、场效应管的具体应用领域：
1. 工业领域：步进马达驱动，电钻工具，工业开关电源
2. 新能源领域：光伏逆变，充电桩，无人机
3. 交通领域：车载逆变器，汽车HID安定器，电动自动车
4. 绿色照明领域：CCFL节能灯。 LED照明电源，金卤灯镇流器
以上应用领域广，型号也大不相同，根据参数的不同我们也会为你选择更适合你的产品,有种精神叫坚持，目标始终没有变，十年创新，我们领跑科技发展
KIA本着“携手客户，创新设计，共同提升，服务市场”的理念，期待在您的大力支持下，使KIA成为MOSFET器件领域的优秀mos管品牌。
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