高压800V7A MOS管KIA7N80H 中文资料 现货直销-KIA MOS管
高压800V7A MOS管KIA7N80H资料-描述
这款功率MOSFET采用SL Semi先进的平面条带DMOS技术生产。这种先进的技术经过特别定制，最大限度地减少了导通电阻，提供了卓越的开关性能，在雪崩和换向模式下能承受高能脉冲。这些器件非常适合于高效开关模式电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑。
高压800V7A MOS管KIA7N80H资料-特性
RDS(on)=1.4Ω@ VGS=10V
栅极电荷低(典型为27nC)
高坚固性
快速切换
100%雪崩测试
改进的DV/DT功能
高压800V7A MOS管KIA7N80H资料-封装图
高压800V7A MOS管KIA7N80H资料-参数
高压800V7A MOS管KIA7N80H资料-电路图
高压800V7A MOS管KIA7N80H资料PDF下载
KIA7N80H
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