MOS管KIA10N80H 800V10A规格参数 国产品牌 价格优势-KIA MOS管
MOS管KIA10N80H 800V10A规格参数-描述
这种功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这一先进技术特别适合于最小化状态上的电阻,提供优越的开关性能,并在雪崩和换相模式下经受高能量脉冲。这些器件适用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
MOS管KIA10N80H 800V10A规格参数-特征
RDS(on)=0.85Ω @ VGS=10V
低栅电荷(典型63 nC)
高强度
快速开关能力
雪崩能量指定
改进dv/dt能力
ESD改进能力
MOS管KIA10N80H 800V10A规格参数-封装图
MOS管KIA10N80H 800V10A规格参数
MOS管KIA10N80H 800V10A规格参数-电路图
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