MOS器件退化简介及退化机理介绍-KIA MOS管
MOS器件退化简介
器件退化的含义：
也就是随着应力时间的推移，输出电流下降，同时阈值电压增加，至于Vg=Vd/2的含义，简单讲，栅电压时漏电压一半的时候，衬底电流最大，同时漏端因为夹断点推移而出现的空间电荷区的场强最强，从而导致热载流子最严重，所以器件最容易退化。
我们来对比一下器件退化与击穿的差异：尽管没有击穿，但是器件也是性能发生了降低，也就是会影响器件的使用寿命。
器件寿命的定义：
MOS器件退化机理
器件退化的机理：如前所讲，器件出现夹断点时，也就是器件进入饱和工作区时，漏端出现空间电荷区，从而出现热载流子效应。
产生机制：
需要注意以下几点：
饱和状态下空间电荷区位于栅下靠近漏端一侧
靠近漏端的空间电荷区具有:
高电场
热载流子
电离碰撞产生电子空穴对
热载流子的产生是非均匀的
衬底电流：
热载流子会产生的2种物理缺陷：氧化层缺陷和界面态缺陷。
热载流子的物理描述：
界面态陷阱和氧化层陷阱的产生：
氧化层缺陷产生机理：
氢解析模型和两种模型共同作用
氧化层电荷的电学影响：氧化层电荷增加，自然引起VT变化，这也是热载流子效应比较明显的结果；如果VT变高，自然导致漏电降低。
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