半导体常用名词解释-KIA MOS管
半导体名词解释
晶面指数：将晶面截距倒数之比简约为互质整数之比，所得的互质整数即为晶面指数。
空间点阵：构成晶体节点的集合。
离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，依靠离子键结合成的晶体称为离子晶体。
原子晶体：原子交替排列在晶格格点上，依靠共价键结合成的晶体称为原子晶体。
佛仑克尔缺陷：原子脱离格点后，同时形成空格点和间隙原子，空格点数等于间隙原子数，这称为佛仑克尔缺陷。
肖脱基缺陷： 原子或离子离开原来所在的格点位置而形成的只有空位而不存在间隙原子的点缺陷。
施主能级：被施主杂质束缚着的电子的能量状态，称为施主能级。
受主能级：被受主杂质束缚着的电子的能量状态，称为施主能级。
本征半导体：完全没有杂质和缺陷的理想纯净和完整的半导体。
导带：在绝对零度温度下，半导体的价带是满带，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带。
价带：半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。
有效质量：粒子在晶体中运动时具有的等效质量。
迁移率：载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度。
杂质散射：载流子运动到电离杂质附近时，由于库仑势场的作用，就使载流子运动方向发生改变。
费米能级：费米能级是绝对零度时电子的最高能级。
准费米能级：在非平衡状态下，由于导带和价带在总体上处于非平衡，因此就不能用统一的费米能级来描述导带中的电子和价带中的空穴按能量的分布问题。但由于导带中的电子和价带中的空穴按能量在各自的能带中处于准平衡分布，可以有各自的费米能级称为准费米能级。
载流子产生率：单位时间单位体积内产生的电子-空穴对数。
载流子复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。
非平衡载流子：处于非平衡状态的半导体，其载流子比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。
直接复合：电子在导带和价带之间直接跃迁而产生复合。
间接复合：电子和空穴通过禁带的能级进行复合。
陷阱能级：SiO4的能级(导带底以下0.16ev处)叫陷阱能级。
陷阱效应：杂质或缺陷能收容非平衡载流子的作用称为陷阱效应。
MOS管原厂：
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