低内阻MOS管 KNX3302A 参数20V85A 原厂免费送样-KIA MOS管
低内阻MOS管 KNX3302A-产品说明
KIA3302A采用先进的沟道技术，以提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和栅电压低至2.5V。
该器件适用于各种应用场合。
低内阻MOS管 KNX3302A-产品特点
R DS(on) =3.9mΩ@ V DS =4.5V
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装组件
低内阻MOS管 KNX3302A-产品应用
电池保护
负荷开关
电源管理
KIA3302参数
产品型号：KIA3302
工作方式：85A/20V
漏源电压：20V
栅源电压：±12A
漏电流连续：85A
脉冲漏极电流：340A
雪崩能量：340mJ
耗散功率：87W
漏源击穿电压：20V
栅极阈值电压：0.5V
输入电容：2800PF
输出电容：353PF
上升时间：49ns
封装形式：TO-251、252
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴，主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
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