MOS管电平转换电路原理与分析-KIA MOS管
MOS管电平转换电路
经典MOS管电平转换电路：
电平转换在电路设计中非常常见，因为做电路设计很多时候就像在搭积木，这个电路模块，加上那个电路模块，拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。
而各电路模块间经常会出现电压域不一致的情况，所以模块间的通讯就要使用电平转换电路了。
上图是用MOS管实现的I2C总线电平转换电路，实现3.3V电压域与5V电压域间的双向通讯。挂在总线上的有3.3V的器件，也有5V的器件，通过这个电路，大家就可以愉快地玩耍聊天了！
实物对照图如下：
实物的上拉电阻用了4.7K欧姆，可以提供更大的电流驱动能力。在满足电路性能的前提下，我喜欢用阻值更大的电阻，因为功耗更低更省电。
MOS管电平转换电路原理分析：
简化来看，留下I2C的一根线来分析就可以了，如下图。
分四种情况：
1、当SDA1输出高电平时：MOS管Q1的Vgs=0，MOS管关闭，SDA2被电阻R3上拉到5V。
2、当SDA1输出低电平时：MOS管Q1的Vgs=3.3V，大于导通电压，MOS管导通，SDA2通过MOS管被拉到低电平。
3、当SDA2输出高电平时：MOS管Q1的Vgs不变，MOS维持关闭状态，SDA1被电阻R2上拉到3.3V。
4、当SDA2输出低电平时：MOS管不导通，但是它有体二极管！MOS管里的体二极管把SDA1拉低到低电平，此时Vgs约等于3.3V，MOS管导通，进一步拉低了SDA1的电压。
注：低电平指等于或接近0V。
高电平指等于或接近电源电压。所以3.3V电压域的器件，其高电平为等于或接近3.3V；5V电压域的器件，其高电平为等于或接近5V。
具体要求看芯片的数据手册是怎么说明这个限定范围的，常见的比如说0.3倍的“芯片供电电压”以下为低电平，0.7倍的“芯片供电电压”以上为高电平。
也就是说“芯片供电电压”为5V的时候，5x0.3=1.5V以下为低电平，5x0.7=3.5V以上为高电平。
某一个芯片数据手册里关于高低电平的阈值范围说明
注意事项：
以上是3.3V与5V之间的情况，如果换用其他电压域之间的转换，如3.3V、2.5V、1.8V等电压值的两两之间，需要注意MOS管的Vgs开启导通电压。
给MOS管过高的Vgs会导致MOS管烧坏，给过低的Vgs会导致MOS管打不开，不同型号的MOS管这个参数值还不一样。
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