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40V80AMOS管 KNX3404C 参数​规格、252封装 原厂价格优势-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2021-08-20 

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40V80AMOS管 KNX3404C 参数规格、252封装 原厂价格优势-KIA MOS管


MOS管KNX3404C产品原厂简介

KIA公司简介:广东可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


KIA半导体的产品应用领域:工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域,不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源,也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA半导体封装:KIA半导体与国内一流封装厂合作,拥有着齐全的封装形式。


KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业,竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴,主动了解客户需求,不断研发创新,为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。


MOS管KNX3404C产品描述

KND3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET,为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KND3404C满足RoHS和绿色产品要求, 100%的EAS保证了全部功能的可靠性。



40V80AMOS管 KNX3404C


40V80AMOS管 KNX3404C产品特性

RDS(ON),typ.=5.0mΩ@VGS=10V

超低栅电荷

100%EAS保证

绿色设备

Cdv/dt效应下降良好

先进的高密度沟槽技术


40V80AMOS管 KNX3404C产品主要参数

(注;具体参数,请查看下面规格书。)

型号:KNX3404C

漏源电压:40V

栅源电压:±20V

持续漏电流Tc=25℃:80A

持续漏电流Tc=100℃:58A

脉冲漏极电流:150A

单脉冲雪崩能量:110mJ

雪崩电流:47A

总功耗:52.1W

漏源击穿

电压:40V

正向跨导:25S

栅极电阻:1.5Ω

输入电容:3330PF

输出电容:270PF

反向转移电容:200PF


40V80AMOS管 KNX3404C产品封装图


40V80AMOS管 KNX3404C


40V80AMOS管 KNX3404C产品规格书

在线查看及下载规格书,请点击下图。


40V80AMOS管 KNX3404C



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联系电话:0755-83888366-8022

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QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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