50A60V内阻低 MOS管KIA50N06 参数资料 原厂价格-KIA MOS管
50A60V内阻低 MOS管KIA50N06产品特征
RDS(on) =10.5m@ VGS =10V
提供无铅绿色设备
低Rds开启，可将传导损耗降至最低
高雪崩电流
50A60V内阻低 MOS管KIA50N06产品应用
电源
不间断电源
电池管理系统
50A60V内阻低 MOS管KIA50N06参数
工作方式：50A/60V
漏源极电压：60V
栅源电压：±25
脉冲漏电流：250A
雪崩电流：15A
雪崩能量：120MJ
最大功耗：88W/44W
MOS管KIA50N06封装图
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