NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A参数 252封装 原厂-KIA MOS管
NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A资料
特征：
沟槽功率低压MOSFET技术
优良的散热封装
低RDS(ON)的高密度电池设计
大电流负载应用
低导通电阻(典型)Rds(on)=7.0mΩ
负载切换
硬开关和高频电路
不间断电源
NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A封装图
NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A参数
新洁能NCE4060K规格参数
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