power mosfet电力场效应晶体管特点、结构详解-KIA MOS管
电力场效应晶体管简介
电力MOS场效应管-分为结型和绝缘栅型，通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。 是一种单极型的电压控制全控型器件。
电力场效应晶体管特点
电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，它的特点有：
驱动电路简单，需要的驱动功率小。
开关速度快，工作频率高。
热稳定性优于GTR。
电流容量小，耐压低，多用于功率不超过10kW的电力电子装置。
电力MOSFET的结构和工作原理
电力MOSFET的种类
按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。
对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为增强型。
在电力MOSFET中，主要是N沟道增强型。
a) 内部结构断面示意图
b) 电气图形符号
电力MOSFET的结构
是单极型晶体管。
结构上与小功率MOS管有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，而目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构，所以又称为VMOSFET （Vertical MOSFET），这大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
按垂直导电结构的差异，分为利用 V型槽实现垂直导电的VVMOSFET （Vertical V-groove MOSFET）和具有垂直导电双扩散MOS结构的DMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。
电力MOSFET也是多元集成结构
电力MOSFET的工作原理
截止：当漏源极间接正电压，栅极和源极间电压为零时，P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导通
在栅极和源极之间加一正电压UGS，正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。
当UGS大于某一电压值UT时，使P型半导体反型成N型半导体，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
UT称为开启电压（或阈值电压），UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流ID越大。
电力MOSFET的转移特性
电力MOSFET的基本特性
静态特性
转移特性
指漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系，反映了输入电压和输出电流的关系 。
ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率被定义为MOSFET的跨导Gfs，即
是电压控制型器件，其输入阻抗极高，输入电流非常小。
电力MOSFET的输出特性
输出特性
是MOSFET的漏极伏安特性。
截止区（对应于GTR的截止区）、饱和区（对应于GTR的放大区）、非饱和区（对应于GTR的饱和区）三个区域，饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加，非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。
工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。
本身结构所致，漏极和源极之间形成了一个与MOSFET反向并联的寄生二极管。
通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
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