低压小功率MOS管KIA30N06B 60V25A参数 原厂现货-KIA MOS管
低压小功率MOS管KIA30N06B原厂简介
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴，主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
低压小功率MOS管KIA30N06B-描述
KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET ,它为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KIA30N06B满足RoHS和绿色产品要求，100%的EAS保证了全部功能的可靠性。
特点
RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V
先进的高密度沟槽技术
超低端滑盖装
优良的CDV/dt效应递减
100% EAS保证
绿色的可用设备
应用
高频点同步降压变换器
网络化DC-DC电源系统
负荷开关
KIA30N06B参数
产品型号：KIA30N06
工作方式：25A/60V
漏流电压：60V
栅源电压（连续）：±20V
连续漏电流：25A
脉冲漏极电流：50A
雪崩能量：22.6A
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：60V
温度系数：0.063V/℃
栅极阈值电压：12V
输入电容：1345 PF
输出电容：72.5 PF
上升时间：14.2 ns
封装形式：TO-251、TO-252
低压小功率MOS管KIA30N06B-封装图
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