控制上下MOS管的互补PWM不能发100%占空比-KIA MOS管
以FAN7888驱动器的芯片手册中的示意图为例：
MOS管导通的条件是G极与S极有压差，下管MOS管要保证有压差的话，直接用驱动芯片的12V供电来提供供电，S极接GND，就很容易保证供电。
但是MOS管上管的S级接的是下管的D极，当上管导通的时候，上管S极接的是电源供电，也就是24V，这时上管S极需要有36V才可以，但是驱动芯片的供电是12V，这时就需要电容C1。
当驱动器发送互补PWM时，下管MOS管打开时，电容通过供电电源，经二极管进行充电，当下管关闭，上管导通时，供电电压由电容C1提供，这时输出通道HO1就可以正常输出使MOS管导通，因此互补PWM不能发100%占空比。
如果发100%占空比，电容C1就充不了电，就无法驱动MOS管上管。
根据这个原理，在之后的驱动器测试中，要测试驱动能发出的最大PWM，就可以通过测试VB与VS的压差来确定，正常应该能充电达到11~12V，芯片手册上写的是最少8V，但是需要留有余量，当充电压差到10V时，基本就是驱动器的极限了。
测试其他厂家生产的驱动器的最大PWM，从上管关闭到下一个周期上管打开的时间差是100ns，频率是15K，可以说占空比是非常极限了，尝试99%占空比，同样的频率，这个时间差是1us，也就是说，还有非常大的提升空间。
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