MOS管反向二极管作用详细解析-KIA MOS管
MOS管反向二极管作用
MOS管电路图中的反向二极管什么作用？
如图所示，P-Base与Source电极相连。反向电流可以从Source流入P-Base，通过PN结（P-Base/N-Dift）流入Drain。
这个PN结就是MOSFET中的Body diode。其作用是导通电感负载传导来的反向电流（ H-bridge，half bridge or many other bridges）。
值得注意的是，当P-Base与Source电极相连可以阻止parasitic NPN transistor的形成（N+／P-Base／N-Drift），使MOSFET工作在可控的状态。
Body diode的作用在很多情况下相当于Freewheeling diode(反向二极管),具体的应用限制则根据MOSFET的结构设计而有所不同 (maximum current rating, maximum blocking voltage, reverse recovery behavior)。
下图是二极管开关特性
p-channel MOSFET:
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