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80V80A MOS管可替代 KIA75N75参数资料 低内阻 原厂直销-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2021-09-15 

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80V80A MOS管可替代 KIA75N75参数资料 低内阻 原厂直销-KIA MOS管


80V80A MOS管可替代 KIA75N75资料

特征:

RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V

提供无铅环保设备

低RDS-ON可将传导损耗降至最低

大雪崩电流


应用:

电源供应

DC-DC变换器


80V80A MOS管可替代 KIA75N75参数详情

产品型号:KIA75NF75

工作方式:80A/80V

漏源电压:80V

栅源电压:±25V

连续漏电流:80A/70A

脉冲漏电流:340A

雪崩电流:20A

雪崩能源:410MJ

最大功耗:240W/100W


80V80A MOS管可替代 KIA75N75封装图


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KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业,竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴,主动了解客户需求,不断研发创新,为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。

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