80V80A MOS管可替代 KIA75N75参数资料 低内阻 原厂直销-KIA MOS管
80V80A MOS管可替代 KIA75N75资料
特征:
RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V
提供无铅环保设备
低RDS-ON可将传导损耗降至最低
大雪崩电流
应用:
电源供应
DC-DC变换器
80V80A MOS管可替代 KIA75N75参数详情
产品型号:KIA75NF75
工作方式:80A/80V
漏源电压:80V
栅源电压:±25V
连续漏电流:80A/70A
脉冲漏电流:340A
雪崩电流:20A
雪崩能源:410MJ
最大功耗:240W/100W
80V80A MOS管可替代 KIA75N75封装图
80V80A MOS管可替代 KIA75N75参数
80V80A MOS管可替代 KIA75N75产品附件 查看详情,请点击下图
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业,竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴,主动了解客户需求,不断研发创新,为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助