MOS管参数中的EAS解析|一看就懂-KIA MOS管
MOS管参数-EAS
EAS指的是单脉冲雪崩能量。
在雪崩的时候，flyback产生的电压会超过额定电压值，因为这个时候的break voltage大于额定电压。
如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。
雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。
定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。
L是电感值，iD为电感上流过的电流峰值，其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。
雪崩击穿发生时，即使 MOSFET处于关断状态，电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储，由MOSFET消散的能量类似。
MOSFET并联后，不同器件之间的击穿电压很难完全相同。通常情况是：某个器件率先发生雪崩击穿，随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。
MOS管参数-EAS解析
EAS和EAR的定义
EAs单脉冲雪崩击穿能量,EAs标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。
如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。
雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。
EAR重复雪崩能量，标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。
如何通过测试波形判断是否发生雪崩
上图(a)开关电源中的雪崩工作波形。在MOSFET截止时约有300V的冲击电压加在漏极和源极之间，并出现振铃。
上图(b)对时间轴进行了放大，由图可以清楚的看出由于栅极电压下降，管子截止，ID减小的同时VDS升高并在295V处VDS电压波形出现平顶(钳位)。
这种电压被钳位的现象即是雪崩状态，所以当功率MOSFET发生雪崩时，漏源极电压幅值会被钳位至有效击穿电压的水平。
图1所示为开关电源中典型的雪崩波形。源漏电压(CH3) 被钳制在1kV,并能看到经整流的电流(CH4)。
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