电路设计中dummy的作用、MOS管的dummy解析-KIA MOS管
IC版图设计dummy的作用
在IC版图设计中除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为dummy layer。
dummy layer的用途：
1、保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败：如在tapeout的时候会检查芯片的density，插入dummy metal、dummy poly、dummy diff等；
2、避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度进又而影响其size：如在模拟电路的电阻、电容阵列外围加上dummy res和dummy cap等，以及关键MOS附近加dummy MOS等；
3、避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上dummy routing layer后者dummy元器件：
如对于某些易受干扰的信号线除了尽量减小其走线长度外，还应该在其走线的左右和上下都加上dummy metal/poly并接地，保证其不受noise的影响。在cap外围加dummy cap也有类似的作用。
CMOS器件版图中的dummy图形
1、MOS dummy
在MOS两侧增加dummy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。
对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根， 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。
2、RES dummy
类似于MOS dummy方法增加dummy， 有时会在四周都加上。在poly/diff 电阻下面增加nwell 减轻noise 对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。
Nwell电阻四周加sub cont 连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin 通常nwell宽度5-6um。
3、CAP dummy
增加dummy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。
4、关键走线与左右或上下走线的屏蔽采用相同层或中间层连接VSS来处理。
MOS管的Dummy
在MOS管的两侧增加Dummy POly,避免栅的长度受到影响,如下图所示。
ADR510ART-R2当要加保护环时,对NMOS管先加P型保护环连接到地,接着加N型保护环连接到电源。对PMOS先加N型保护环连接到电源,接着加P型保护环连接到地。
电阻和电容的Dummy
类似于MOs的Dummy方法,有时会在四周都增加Dummy。在多晶或扩散区电阻的下面增加N阱可以减轻噪声对电阻的影响,N阱连接高电位与衬底反偏,如图所示。
为了降低光照使电阻阻值下降的影响,应在N阱电阻上面覆盖金属并连接高电位。
电容增加Dummy方法与MOs管类似,N阱用于阻挡来自衬底的噪声,N阱接高电位,而衬底则反偏,如图所示。
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