IGBT尖峰电压吸收电路图文详解-KIA MOS管
IGBT尖峰电压吸收电路
关断IGBT时由于电感中储存有能量，集电极-发射极间会发生浪涌电压。缓冲电路可以抑制施加在IGBT上的过电压和关断损耗的增加。这是由于缓冲电容器可以分担关断时的一部分能量。务必妥当处理电容器所吸收的能量。
RCD 缓冲电路：
关断开关时储存的能量 : 1/2?LiC2
e+＝ L?diC/dt
如果Cs能够完全吸收L的能量
1/2?LiC2＝1/2?Cs?Δe2
即成立，因此
Δe＝ i0×√L/Cs
RCD缓冲电路的损耗：
把缓冲电路安装在每个IGBT上比安装在直流母线和地线之间更有效。
但是，存在Rs上损耗较大的问题。Rs上的损耗是LiC2与开关频率的乘积，L为0.2μH、iC为100A、开关频率为10kHz时损耗为20W。
此时，在3相桥路电路中，仅缓冲电路的损耗就有120W。可以通过控降低频率或向电源再生能量来减少损耗。
为了降低Δe，首先减小L（主电路的分布电感）尤为重要。Cs随电感变小而变小。
Vs是（配线电感）×-dic/dt、Ds的正向恢复电压以及（Cs的分布电感）×-dic/dt的总和。
下述要点可以使缓冲电路更有效。
以更低的-dic/dt为驱动条件驱动IGBT。（降低IGBT的关断速度）
减小主电路配线的电感。为此设法将电源（电解）电容器放在尽可能靠近IGBT模块的位置，使用铜板配线，实施分层布置等。
缓冲电路也应放在模块的附近，Cs应采用薄膜电容器等频率特性好的元件。
Ds使用正向导通压降小，反向软恢复型超快速二极管。
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