电源适配器噪声问题与解决方法分享-KIA MOS管
电源适配器噪声产生原因
传导干扰概念：传导干扰主要评估输入和输出线上流过的干扰噪声。待测试的设备EUT通过阻抗匹配网络LISN 连接到干净的交流电源上。
（一）LISN的作用如下
1.隔离待测试设备EUT和交流输入电源，滤除由输入电源线引入的噪声及干扰。
2.EUT产生的干扰噪声依次通过LISN内部的高通滤波器和50 ?电阻，在50 ?电阻上得到相应的信号值送到接收机进行分析。
（二）测试原理分析
传导干扰来源于差模电流噪声和共模电流噪声，这两种类型的噪声干扰如下图所示：
图2： 差模电流和共模电流
1.差模电流在两根输入电源线间反方向流动，两者相互构成电流回路，即一根作为差模电流的源线，一根作为差模电流的回线。
2.共模电流在两根输入电源线上同方向流动，它们分别与大地构成电流回路，即同时作为共模电流的源线或回线。
电源适配器噪声产生原因及解决方法
（一）共模电流
1.共模电流产生原因
共模电流在输入及输出线与大地间流动，其产生主要是功率器件高频工作时产生的电压的瞬态的变化。
共模电流的产生主要有下面几部分：
① 通过MOSFET源级到大地的电容Cde。如果改进IC的设计，如对于单芯片电源芯片，将MOSFET源极连接到芯片基体用于散热，而不是用漏极进行散热，这样可以减小漏极对大地的寄生电容。
PCB布线时减小漏极区铜皮的面积可减小漏极对大地的寄生电容，但要注意保证芯片的温度满足设计的要求。
②通过Cm 和Cme产生共模电流。
③ 通过Ca 和 Cme产生共模电流。
④ 通过Ct 和Coe产生共模电流。
⑤ 通过Cs 和Coe产生共模电流，这部分在共模电流中占主导作用。
减小漏极电压的变化幅值及变化率可减小共模电流，如降低反射电压，加大漏源极电容，但这样会使MOSFET承受大的电流应力，其温度将增加，同时加大漏源极电容产生更大的磁场发射。
图3： 共模电流产生
2.解决方法
（1）增加Y电容
图4： Y电容作用
电压如果系统加了Y电容，由图4所示， 通过Cs的大部分的共模电流被Y 电容旁路，返回到初级的地，因为Y电容的值大于Coe。
Y电容必须直接并用尽量短的直线连接到初级和次级的冷点。作为一个规则，如果开通MOSFET的dV/dt大于关断时的值，Y电容连接到初级的地。反之连接到Vin。
强调：电压没有变化的点称为静点或冷点，电压变化的点称为动点或热点。初级的地和Vin都是冷点，对于辅助绕组和输出绕组，冷点可以通过二极管的位置进行调整。
图5中，A，Vcc，Vin和Vo为冷点，D，F和G 为热点。
图5： 冷点位置
（2）改变变压器的结构
去除Y电容无法有效的旁路共模电流，导到共模电流噪声过大，无法通过测试标准，设计的方法是改进变压器的结构。一般的法加利屏蔽方法不能使设备在无Y电容的情况下通过EMI的测试。
由于MOSFET的漏极端的电压变化幅值大，主要针对这个部位进行设计。永远注意：电压的变化是产生差模及共模电流的主要原因，寄生电容是其流动的通道。
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